硅基氮化鎵功率放大器芯片首次實現量產應用
來源：新聞中心
發布時間：2025年11月14日 編輯：新聞中心
近日，中國電科國基南方所屬南京國博電子股份有限公司（以下簡稱國博公司）研發的硅基氮化鎵功率放大器芯片，首次在終端射頻領域實現量產應用。
針對智能移動終端對射頻功率放大器性價比、可靠性、尺寸的極致要求，國博公司與國內頭部智能移動終端廠商、相關研發部門組成聯合攻關團隊，協同攻克了硅基氮化鎵外延的晶格缺陷比例高的材料難題，充分發揮新型三代半導體材料的技術優勢，在兼顧功率、效率、寬帶等指標的前提下，實現了對傳統砷化鎵功放的性能提升，并突破硅基氮化鎵功放芯片的量產技術。該產品具備高功率、高效率、高寬帶特性，可為客戶降低系統鏈路設計的復雜度，進一步提升手機等終端的數據傳輸速度，降低工作能耗。
下一步，國博公司將持續優化開發新產品，適配多頻段、高效率終端應用場景。同時，持續投入硅基氮化鎵功放芯片產業鏈，推動新型三代半導體材料的產業化發展。
